5月23日 北京计算科学中心魏苏淮教授学术报告：半导体材料第一性原理计算的进展与挑战主 题：半导体材料第一性原理计算的进展与挑战 主讲人：魏苏淮 教授，北京计算科学研究中心 时 间：2023年5月23日（周二）10:00 地 点：唐仲英楼B501 报告摘要 半导体是当前信息时代的核心材料，在电子器件，光电器件，和高效清洁能源等领域有着广泛的应用。随着时代的进步和人类文明的发展，对半导体材料的功能和性能提出了新的要求，亟需开发一批具有特殊力学、声学、光学、电学、磁学性能的新型半导体材料。基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算可以在原子尺度上理解和预测材料特性。由于计算机计算能力的快速进步和计算方法的发展，目前基于DFT计算预测能力已经获得了极大的提高，促进了材料设计从实验引导的试错法向理论计算驱动的方法转变，在半导体材料设计中正在发挥着越来越大的作用。在本报告中，会简单介绍DFT计算方法在过去几十年里的一些进展对光电和能源材料发展的贡献，举例介绍第一性原理材料设计的方法和思路并讨论在半导体功能材料设计方面面临的一些挑战。 主讲人介绍 魏苏淮教授现任北京计算科学研究中心讲席教授、材料与能源研究部主任，国家特聘专家，国家重点专项首席科学家，国家基金委重大项目负责人，美国物理学会会士(APS Fellow)，美国材料学会会士(MRS Fellow)。1981年本科毕业于复旦大学，1985年在美国威廉玛丽学院(College of William and Mary)取得物理学博士学位，1985年-2015年在美国可再生能源国家实验室(NREL)工作，2015年回国前担任NREL理论研究室主任，国家实验室Fellow。在半导体能带理论、缺陷与合金物理、能源与光电材料设计、计算方法等方面取得了系统的原创性成果。已发表SCI论文560余篇，包括70余篇PRL。论文引用大于70000多次，H因子132。
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学术报告 |
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