10月13日 东南大学王金兰教授学术报告：石墨烯及相关二维材料的生长机理与物性研究下周二（10月13日）的青年教师午餐会上，将由东南大学王金兰教授为大家做报告。 报告时间：10月13日 中午12：00 报告地点：唐楼 B501 Title: 石墨烯及相关二维材料的生长机理与物性研究 Abstract: 以石墨烯、二硫化钼为代表的二维层状材料展现了极其丰富的光、电、磁性及催化活性，在新能源、新材料、电子器件等方面具有广泛的应用前景。本报告将介绍本课题组在石墨烯、二硫化钼生长机理与物性方面的最新进展：1) 高质量石墨烯纳米带催化切割机理与可控制备：i) 过渡金属单原子催化切割碳纳米管制备石墨烯纳米带；ii)过渡金属颗粒切割石墨烯片制备石墨烯纳米带；iii)通过外应力控制切割方向实现大片石墨烯选择性氧化切割制备石墨烯纳米带阵列；2）表面与缺陷态等对二维类石墨烯材料如二硫化钼电磁性质、输运机制与光学性能的调控：iv) 提出了二硫化钼中缺陷态诱导的局域化电子跃迁输运机制；v) 通过缺陷与化学修饰的共同作用实现了二硫化钼荧光近百倍的增强；vi) 设计了稳定且电磁性质优良的钴/二硫化钼异质结薄膜结构。这些研究工作为制备高质量石墨纳米带以及二维类石墨烯材料在光电子器件方面的应用提供了理论基础和理论指导。 References:[1] J. L. Wang*; et al. Angew. Chem. Int. Ed. 50, 8041(2011). [2] Ma, L.; J. L. Wang*; Ding, F. Angew. Chem. Int. Ed. 51, 1161 (2012). [3] L. Ma, J. L. Wang*, F. Ding, J. Phys. Chem. Lett. 5, 1191(2014). [4] L. Ma, J.L. Wang*, F Ding, ChemPhysChem (invited review) 14, 47 (2013) [5] Z.L. Wang, et al., Nanoscale 6, 4857 (2014). [6] Zhu, L.Y.; J. L. Wang*; et al., Nano Lett., 10, 494 (2010). [7] H. Qiu, et al., Nat. Commun. 4, 2642 (2013). [8] Z. Yu, et al., Nat. Commun. 5, 5290 (2014). [9] D. He, et al., Nat. Commun. 5, 5162 (2014). [10] H.Y. Nan, et al., ACS Nano, 8, 5738 (2014). [11] Q. Chen, et al., ACS Appl. Mater. Inter. 6, 16835 (2014) [12] J. Pan, et al., Nanoscale 6, 13565 (2014). |
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